2021年1月21日，InnoSec Technology Co.，Ltd.和ASML达成协议，批量购买大容量i-line和KrF光刻机，以制造先进的硅基氮化镓功率器件。

全球领先的硅基GaN集成器件制造商InnoSec Technology Co.，Ltd.和光刻机制造商ASML最近达成了一项合作协议，以批量购买大容量i-line和KrF光刻机。

ASML是芯片制造设备的全球领导者。

XT400和XT860的i-line和KrF已升级，可以在硅基晶圆上制造氮化镓功率器件。

凭借其独特的TWINSCAN（双工作阶段）架构，ASML的i-line和KrF光刻机可以提供市场上最出色的性能，最高的生产效率和最低的成本。

双阶段技术架构已成为全球300mm和200mm晶圆生产线中先进光刻技术的代表。

Innosecco将于今年第二季度进入第一批光刻机。

这是使用先进的ASMLTWINSCAN（双工作阶段）光刻技术在第三代半导体领域进行的首次批量生产。

这一实现标志着第三代半导体制造技术已经正式进入一个新时代。

Innosecco Technology Co.，Ltd.成立于2015年12月。

它是一家致力于生产第三代半导体硅基氮化镓芯片的企业。

该公司成功完成了世界上第一条200mm硅基氮化镓晶片和功率器件的大规模生产线并投入生产。

主要产品包括200mm硅基氮化镓晶片和30V-650V氮化镓功率器件。

Innosecco产品的设计和性能已达到世界上最先进的水平，并已广泛用于PD快速充电，立体声（3D）相机，移动电子设备（包括智能手机，笔记本电脑，平板电脑）和其他领域。

InnoSec致力于打造世界一流的品牌，并为全球宽带隙半导体产业的发展做出贡献。

功率器件和电路可以通过高开关频率和高功率密度来实现高效的能量管理。

这些功能可广泛用于快速发展的新兴市场，例如数据中心，可再生能源和下一代无线通信网络。

除了体积小之外，由于其高频，高功率密度和其他特性，硅基氮化镓还是快速充电，直流电网和新能源汽车等市场的理想选择。

所述“第三代半导体”包括：氮化镓（GaN）材料包括氮化镓（GaN），碳化硅（SiC），氮化铝（AlN），金刚石和氧化锌（ZnO），而氮化镓（GaN）是“第三代半导体”。

作为材料的典型代表，它具有广阔的市场应用前景。

在2021年1月21日于珠海举行的签字仪式上，InnoSec首席执行官孙在恒先生表示：“我很荣幸地宣布，InnoSec与ASML已达成合作协议，我们将携手合作，利用GaN技术来改变In未来，作为一家致力于推动第三代半导体创新革命的公司，我们需要与ASML等全球半导体领导者合作，采用更先进的制造工艺来实现更高的性能，良率和产量。

不断增长的各种应用领域（例如快速充电，TOF相机（Time-of-FlightCamera），智能手机，电动汽车，数据中心等）共同为我们推出了最先进的解决方案和下一代GaN器件。

，合作伙伴和消费者将创造更多有价值的产品和服务。

第三代半导体是行业的革命性升级，变革从未如此简单。

这要求我们共同努力，我们将实现双赢的合作。

ASML副总裁兼中国地区总裁申波说：“我们很高兴成为InnoSec的合作伙伴。

第三代半导体在全球市场上具有广阔的应用前景，ASML将竭尽所能提供光刻解决方案和服务。

，以支持Innosecco在这一领域的发展。

“我们应用于200mm晶圆生产线的XT平台，包括i-line，KrF和干式ArF光刻机，是快速增长的硅基氮化镓市场的理想长期解决方案，不仅限于生产力和成本。

一方面，随着氮化镓（GaN）材料在新领域中的应用，配准精度和成像要求也将随着时间的流逝而扩大。

“ ASML深紫外光刻业务产品市场”